吉時(shí)利源表Keithley2450

產(chǎn)品型號(hào)：

所屬分類：微弱信號(hào)處理器

更新時(shí)間：2025-11-04

簡要描述：吉時(shí)利源表Keithley2450 數(shù)字源表器是一款精密的低噪聲儀器，其中組合了穩(wěn)定的直流電源、電流源、電子負(fù)載和高阻抗萬用表。具有直觀的設(shè)置和控制、增強(qiáng)的信號(hào)質(zhì)量和擴(kuò)大的量程，優(yōu)于市場上同類產(chǎn)品的電阻率和電阻功能。在 6½ 位分辨率和 0.012% 的基本精度下，2450 型號(hào)可以通過 IEEE-488 總線提供每秒 59 個(gè)讀數(shù)。在 4½ 位分辨率下，每秒可向其內(nèi)部緩沖器讀入多達(dá) 3000 個(gè)

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吉時(shí)利源表Keithley2450型觸摸屏數(shù)字源表是吉時(shí)利新一代數(shù)字源表(SMU)儀器，它真正把歐姆定律(電流、電壓和電阻)測試帶到你的指尖。其創(chuàng)新的圖表化用戶界面(GUI)和*的電容觸摸屏技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了直觀使用和學(xué)習(xí)曲線簡便化，支持工程師和科學(xué)家掌握更迅速、工作更便捷、發(fā)明更簡單。2450是適用于各行各業(yè)使用者的源測量單元(SMU)：這種多用途儀器特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。這些特性加上吉時(shí)利源測量單元(SMU)的精度和準(zhǔn)確度，允許用戶觸摸、測試和發(fā)明，無論現(xiàn)在和未來，都將成為您實(shí)驗(yàn)室中愛不釋手的儀器。

  吉時(shí)利源表Keithley2450 數(shù)字源表器是一款精密的低噪聲儀器，其中組合了穩(wěn)定的直流電源、電流源、電子負(fù)載和高阻抗萬用表。該儀器具有直觀的設(shè)置和控制、增強(qiáng)的信號(hào)質(zhì)量和擴(kuò)大的量程，以及優(yōu)于市場上同類產(chǎn)品的電阻率和電阻功能。在 6? 位分辨率和 0.012% 的基本精度下，2450 型號(hào)可以通過 IEEE-488 總線提供每秒 59 個(gè)讀數(shù)。在 4? 位分辨率下，每秒可向其內(nèi)部緩沖器讀入多達(dá) 3000 個(gè)讀數(shù)

本應(yīng)用示例演示如何使用 2450 SourceMeter® 儀器測量太陽能電池的 I-V 特性。 根據(jù) 2450 測量的 I-V 特性，可以確定有關(guān)太陽能電池的重要參數(shù)，包括： • 最大電流 (IMAX) 和電壓 (VMAX) • 最大功率 (PMAX) • 開路電壓 (VOC) • 短路電流 (ISC) 因?yàn)?2450 具有四象限源功能，其可以接收高達(dá) 1 A 的電池電流作為施加電壓的函數(shù)。

下圖顯示了前面板連接。您可以使用四根絕緣香蕉電纜進(jìn)行這些連接

下圖顯示了后面板連接。您可以使用四根三軸電纜進(jìn)行這些連接。

　　吉時(shí)利源表KEITHLEY2450主要優(yōu)勢：

　　具備分析儀、曲線追蹤儀和I-V

　　系統(tǒng)功能，成本更低

　　5英寸高分辨率電容觸摸屏圖形用戶界面（GUI）

　　基本測量準(zhǔn)確度0.012%，分辨率6?數(shù)位

　　靈敏度更高，新增源/測量量程：20mV和10nA

　　源和阱(4象限)操作

　　4種“Quickset"模式，用于快速設(shè)置

　　和測量

　　內(nèi)建上下文相關(guān)的前面板幫助

　　前面板輸入香蕉頭輸入；后面板三同軸輸入連接

　　2450 SCPI和TSP®腳本編程模式

　　2400型SCPI兼容編程模式

　　前面板USB端口，用于數(shù)據(jù)/編程/配置I/O

　　典型應(yīng)用：

　　非常適合當(dāng)今多種現(xiàn)代化電子器件的電流/電壓特性分析和功能測試，包括：

　　納米材料與器件測試，如石墨烯、碳納米管、納米線、低功耗納米結(jié)構(gòu)測試

　　半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)測試，如晶圓、薄膜測試

　　有機(jī)材料與器件測試，如電子墨水，印刷電子技術(shù)測試

　　能量效率與照明測試，LED/AMOLED，光伏/太陽電池、電池測試

　　分立器件與無源組件測試，如雙引線:電阻器、二極管、齊納、LED、磁盤驅(qū)動(dòng)器磁頭

　　光驅(qū)、傳感器；三引線:小信號(hào)雙極節(jié)型晶體管，(BJT)、場效應(yīng)晶體管(FET)等等

　　材料特性分析，如電阻率，霍爾效應(yīng)測試等。