據telecompaper網10月20日報道，是德科技宣布，三星代工廠已采用KeysightE4727B高級低頻噪聲分析儀(A-LFNA)來測量和分析半導體器件中的閃爍噪聲（1/f噪聲）和隨機電報噪聲(RTN)。
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是德科技5G測試解決方案將為硅制造商三星代工廠提供工藝設計套件(PDK)，其中包括基于A-LFNA數據的用于射頻(RF)和模擬電路設計和驗證的高精度仿真模型，三星代工廠在是德科技解決方案上投入大量資金，可見準確的低頻噪聲測量和建模在PDK開發中越來越重要，特別是對于5、4和3納米的先進技術節點。
KeysightE4727BA-LFNA解決方案可測量半導體器件的低頻噪聲。PathWaveA-LFNA測量和編程軟件創建在Path Wave Wafer Pro(WaferProExpress)測量平臺之上。工程師可將系統中的測量數據導入是德科技的PathWave器件建模(IC-CAP)和PathWave模型構建器(MBP)軟件，提取器件模型用于PDK開發，從而確保高精度射頻和模擬低噪聲電路設計和仿真的進行。
（編譯：墨書）
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